د MOSFET وسیلې انتخاب د فکتورونو ټول اړخونه په پام کې نیولو سره ، له کوچني څخه تر N-type یا P-type غوره کولو پورې ، د بسته بندۍ ډول ، د MOSFET ولتاژ څخه لوی ، آن مقاومت ، او داسې نور. د غوښتنلیک مختلف اړتیاوې توپیر لري.لاندې مقاله د 3 لوی قواعدو MOSFET وسیلې انتخاب لنډیز کوي ، زه باور لرم چې د لوستلو وروسته به تاسو لوی معامله ولرئ.
1. د بریښنا MOSFET انتخاب لومړی ګام: P-ټیوب، یا N-ټیوب؟
د بریښنا MOSFETs دوه ډوله شتون لري: N-چینل او P-چینل، د سیسټم ډیزاین په پروسه کې د N-ټیوب یا P-ټیوب غوره کولو لپاره، د اصلي غوښتنلیک ځانګړي انتخاب ته، د ماډل غوره کولو لپاره N-چینل MOSFETs، ټیټ لګښت؛د P-channel MOSFETs ماډل غوره کولو لپاره لږ، لوړ لګښت.
که د بریښنا MOSFET د S-قطب اتصال کې ولټاژ د سیسټم حواله ځمکه نه وي ، نو N-چینل د ځمکې لاندې بریښنا رسولو ډرایو ، ټرانسفارمر ډرایو یا بوټسټریپ ډرایو ، ډرایو سرکټ کمپلیکس ته اړتیا لري؛P-چینل مستقیم چلول کیدی شي، ساده چلول.
د N-چینل او P-چینل غوښتنلیکونه په پام کې نیولو اړتیا په عمده ډول دي
a.د نوټ بوک کمپیوټرونه ، ډیسټاپونه او سرورونه د CPU او سیسټم کولنګ فین ، د پرنټر تغذیه کولو سیسټم موټرو ډرایو ، ویکیوم کلینرونو ، هوا پاکولو ، بریښنایی فینونو او د کور نور وسایلو د موټرو کنټرول سرکټ لپاره کارول کیږي ، دا سیسټمونه د بشپړ پل سرکټ جوړښت کاروي ، د هر پل بازو په ټیوب کې کولی شي P-ټیوب وکاروي ، کولی شي N-ټیوب هم وکاروي.
ب.د مخابراتو سیسټم 48V د هاټ پلګ MOSFETs ان پټ سیسټم په لوړ پای کې ځای په ځای شوی ، تاسو کولی شئ P-ټیوبونه وکاروئ ، تاسو کولی شئ N-ټیوبونه هم وکاروئ.
ج.په لړۍ کې د نوټ بوک کمپیوټر ان پټ سرکټ ، د انټي ریورس اتصال رول لوبوي او د دوه شا څخه بیرته بریښنا MOSFETs بار بدلولو رول لوبوي ، د N-چینل کارول د چپ داخلي مدغم ډرایو چارج پمپ کنټرول کولو ته اړتیا لري ، د P-چینل کارول مستقیم چلول کیدی شي.
2. د بسته بندۍ ډول انتخاب
د بریښنا MOSFET چینل ډول د بسته بندي ټاکلو لپاره د دویم ګام ټاکلو لپاره، د بسته بندۍ انتخاب اصول دي.
a.د تودوخې زیاتوالی او د تودوخې ډیزاین د بسته بندۍ غوره کولو لپاره ترټولو اساسي اړتیاوې دي
د بسته بندۍ مختلف اندازې مختلف حرارتي مقاومت او د بریښنا تحلیل لري ، سربیره پردې د سیسټم تودوخې شرایطو او محیطي تودوخې په پام کې نیولو سره ، لکه ایا د هوا یخ کول ، د تودوخې سنک شکل او اندازې محدودیتونه ، ایا چاپیریال تړل شوی او نور عوامل ، اساسي اصل دا دی چې د بریښنا MOSFET د تودوخې زیاتوالی او د سیسټم موثریت یقیني کړي، د پیرامیټونو غوره کولو اساس او د عمومي بریښنا MOSFET بسته بندي.
ځینې وختونه د نورو شرایطو له امله ، د تودوخې تحلیل ستونزې حل کولو لپاره په موازي ډول د ډیری MOSFETs کارولو اړتیا ، لکه د PFC غوښتنلیکونو کې ، د بریښنایی موټرو موټرو کنټرولرونه ، مخابراتي سیسټمونه ، لکه د ماډل بریښنا رسولو ثانوي ترکیب اصلاح غوښتنلیکونه په کې غوره شوي. د څو ټیوبونو سره موازي.
که ملټي ټیوب موازي ارتباط ونه کارول شي، د غوره فعالیت سره د بریښنا MOSFET غوره کولو سربیره، د لوی اندازې کڅوړه یا یو نوی ډول بسته کارول کیدی شي، د بیلګې په توګه، په ځینو AC/DC بریښنا رسولو کې TO220 به TO247 بسته ته بدل شي؛په ځینو مخابراتي سیسټم بریښنا رسولو کې، نوی DFN8*8 بسته کارول کیږي.
ب.د سیسټم د اندازې محدودیت
ځینې بریښنایی سیسټمونه د PCB اندازې او د داخلي لوړوالي له مخې محدود دي ، لکه د مخابراتي سیسټمونو بریښنا رسولو ماډل د محدودیتونو لوړوالي له امله معمولا DFN5 * 6 ، DFN3 * 3 کڅوړه کاروي؛په ځینو ACDC بریښنا رسولو کې، د الټرا پتلی ډیزاین کارول یا د شیل محدودیتونو له امله، د TO220 پیکج بریښنا MOSFET پنونه مستقیم په ریښی کې، د محدودیتونو لوړوالی نشي کولی TO247 بسته وکاروي.
ځینې الټرا پتلي ډیزاین مستقیم د وسیلې پنونه فلیټ ته اړوي ، د دې ډیزاین تولید پروسه به پیچلې شي.
د لوی ظرفیت لیتیم بیټرۍ محافظت بورډ ډیزاین کې ، د خورا سخت اندازې محدودیتونو له امله ، ډیری اوس د چپ کچې CSP کڅوړه کاروي ترڅو د امکان تر حده د تودوخې فعالیت ښه کړي ، پداسې حال کې چې د کوچنۍ اندازې ډاډ ترلاسه کوي.
ج.د لګښت کنټرول
په لومړیو کې ډیری بریښنایی سیسټمونه د پلګ ان کڅوړې په کارولو سره ، پدې کلونو کې د کار لګښتونو د زیاتوالي له امله ، ډیری شرکتونو د SMD کڅوړې ته اړول پیل کړل ، که څه هم د پلګ ان په پرتله د SMD ویلډینګ لګښت خورا لوړ ، مګر د SMD ویلډینګ اتومات کولو لوړه کچه ، ټول لګښت لاهم په مناسب حد کې کنټرول کیدی شي.په ځینو غوښتنلیکونو کې لکه د ډیسټاپ مور بورډونه او بورډونه چې خورا حساس دي، د DPAK کڅوړو کې د بریښنا MOSFETs معمولا د دې کڅوړې د ټیټ لګښت له امله کارول کیږي.
له همدې امله، د بریښنا MOSFET بسته په انتخاب کې، د خپل شرکت سټایل او د محصول ځانګړتیاوو سره یوځای کولو لپاره، د پورته فکتورونو په پام کې نیولو سره.
3. د دولت پر وړاندې مقاومت RDSON غوره کړئ، یادونه: اوسنی نه
ډیری وختونه انجنیران د RDSON په اړه اندیښمن دي، ځکه چې د RDSON او کنډکشن ضایع په مستقیم ډول تړاو لري، د RDSON کوچنۍ، د بریښنا MOSFET لیږد ضایع کم، موثریت لوړ دی، د تودوخې لوړوالی ټیټ دی.
په ورته ډول، انجنیران د پخوانۍ پروژې یا د موادو په کتابتون کې د موجوده اجزاوو د تعقیب لپاره څومره ممکنه وي، د RDSON لپاره د حقیقي انتخاب طریقه په پام کې نیولو لپاره ډیر څه نلري.کله چې د ټاکل شوي بریښنا MOSFET د تودوخې زیاتوالی خورا ټیټ وي، د لګښت دلایلو لپاره به د RDSON لوی برخو ته لاړ شي؛کله چې د بریښنا MOSFET د تودوخې زیاتوالی خورا لوړ وي، د سیسټم موثریت ټیټ وي، د RDSON کوچنیو برخو ته لاړ شي، یا د بهرني ډرایو سرکټ اصلاح کولو سره، د تودوخې د ضایع کولو تنظیم کولو لاره ښه کړي، او داسې نور.
که دا یوه نوې پروژه وي، د تعقیب لپاره کومه پخوانۍ پروژه شتون نلري، نو بیا څنګه د بریښنا MOSFET RDSON غوره کړئ؟ دلته یو میتود دی چې تاسو ته یې معرفي کړئ: د بریښنا مصرف ویش.
کله چې د بریښنا رسولو سیسټم ډیزاین کول، پیژندل شوي شرایط په لاندې ډول دي: د ان پټ ولتاژ سلسله، د تولید ولتاژ / د محصول اوسنی، موثریت، عملیاتي فریکونسۍ، د ډرایو ولتاژ، البته، نور تخنیکي شاخصونه او د بریښنا MOSFETs شتون لري چې په عمده توګه د دې پیرامیټونو پورې تړاو لري.ګامونه په لاندې ډول دي.
a.د ان پټ ولتاژ سلسله له مخې، د تولید ولتاژ / د محصول اوسني، موثریت، د سیسټم اعظمي زیان محاسبه کړئ.
ب.د بریښنا سرکیټ سپیریس ضایعات، د بریښنا غیر بریښنا سرکټ اجزاو جامد ضایعات، د IC جامد ضایعات او د موټر ضایعات، د یوې اندازې اټکل لپاره، تجربه ارزښت کولی شي د ټول زیانونو 10٪ څخه تر 15٪ پورې حساب کړي.
که چیرې د بریښنا سرکټ د اوسني نمونې مقاومت ولري، د اوسني نمونې مقاومت کونکي بریښنا مصرف محاسبه کړئ.د پورتنیو زیانونو څخه د ټولو زیانونو منفي، پاتې برخه د بریښنا وسیله، ټرانسفارمر یا د بریښنا د بریښنا ضایع کول دي.
د بریښنا پاتې ضایع به د بریښنا وسیلې او ټرانسفارمر یا inductor ته په یو ټاکلي تناسب کې تخصیص شي ، او که تاسو ډاډه نه یاست ، د اجزاو د شمیر له مخې اوسط توزیع ، ترڅو تاسو د هر MOSFET بریښنا ضایع ترلاسه کړئ.
ج.د MOSFET د بریښنا ضایع په یو ټاکلي تناسب کې د سویچ کولو ضایع او لیږد ضایع ته تخصیص کیږي، او که ناڅرګنده وي، د سویچ کولو ضایع او د لیږد ضایع په مساوي توګه تخصیص کیږي.
d.د MOSFET کنډکشن ضایع او د RMS اوسني جریان په واسطه، د اعظمي اجازه وړ لیږد مقاومت محاسبه کړئ، دا مقاومت MOSFET د اعظمي عملیاتي جنکشن تودوخې RDSON دی.
په بریښنا کې د ډیټا شیټ MOSFET RDSON د تعریف شوي ازموینې شرایطو سره په نښه شوي ، په مختلف تعریف شوي شرایطو کې مختلف ارزښتونه لري ، د ازموینې تودوخې: TJ = 25 ℃ ، RDSON د تودوخې مثبت ضمیمه لري ، نو د MOSFET ترټولو لوړ عملیاتي جنکشن تودوخې مطابق او د RDSON د تودوخې کثافات، د پورته RDSON حساب شوي ارزښت څخه، د 25 ℃ د تودوخې اړوند RDSON ترلاسه کولو لپاره.
e.د 25 ℃ څخه RDSON د بریښنا MOSFET مناسب ډول غوره کولو لپاره، د MOSFET RDSON د حقیقي پیرامیټونو مطابق، ښکته یا پورته ټرم.
د پورته ګامونو له لارې، د بریښنا MOSFET موډل او RDSON پیرامیټونو لومړنۍ انتخاب.
دا مقاله د شبکې څخه اقتباس شوې، مهرباني وکړئ موږ سره اړیکه ونیسئ ترڅو سرغړونې حذف کړئ، مننه!
د Zhejiang NeoDen Technology Co., Ltd. له 2010 راهیسې مختلف کوچني غوره او ځای ماشینونه تولید او صادروي. زموږ د خپل بډایه تجربه لرونکي R&D ، ښه روزل شوي تولید څخه په ګټې اخیستنې ، NeoDen د نړۍ په کچه پیرودونکو څخه لوی شهرت ترلاسه کوي.
په 130 هیوادونو کې د نړیوال شتون سره ، د NeoDen PNP ماشینونو عالي فعالیت ، لوړ دقت او اعتبار دوی د R&D ، مسلکي پروټوټایپینګ او کوچني څخه تر منځني بیچ تولید لپاره مناسب کوي.موږ د یو بند SMT تجهیزاتو مسلکي حل چمتو کوو.
اضافه کړئ: No.18، Tianzihu Avenue، Tianzihu Town، Anji County، Huzhou City، Zhejiang Province، China
تلیفون: 86-571-26266266
د پوسټ وخت: اپریل 19-2022